材料研发工程师

▌主要职责
(1) 外延工艺开发:负责GaN等第三代半导体材料的外延生长工艺开发、优化与迭代。
(2) 实验设计与分析:独立设计实验方案(DOE)，对外延片的晶体质量、电学性能、光学性能进行系统表征与分析，并建立工艺-结构-性能之间的内在联系。
(3) 技术难题攻关:深入分析并解决外延生长过程中遇到的技术难题，提升外延材料的一致性与良率。
(4) 设备维护与优化:参与MOCVD等关键外延设备的日常维护、装机、调试和工艺窗口拓展，保障研发设备的稳定高效运行。
(5) 技术文档撰写:撰写详细的技术报告、专利交底书和科研论文，清晰、准确地呈现研发成果。

▌应聘条件
(1) 学历专业：硕士及以上学历，微电子学、材料科学与工程、物理、电子工程、化学等相关专业。
(2) 专业知识：具备扎实的半导体物理、晶体生长理论(如MOCVD、CVT、PVT原理)和材料表征知识。
(3) 核心经验：具有MOCVD或其它半导体薄膜生长技术的课题研究或项目经验，熟悉相关设备操作与工艺调试。
(4) 个人素养：具备强烈的创新意识、出色的逻辑分析能力和解决问题的能力;拥有良好的团队协作精神、沟通能力和严谨的科学态度。

工艺研发工程师

▌主要职责
(1) 核心技术开发：负责第三代半导体器件的关键工艺模块(如刻蚀、薄膜沉积、光刻、清洗)的技术研发、工艺调试与优化工作。
(2) 工艺导入与创新：参与或主导新工艺、新技术的导入和验证，解决工艺中的关键技术难题推动技术节点迭代和性能提升。
(3) 技术文档撰写：独立完成工艺实验方案、研发报告、技术总结及标准化操作规程(SOP)的撰写与归档，建立完整工艺知识库。
(4) 跨部门协作：与外延生长、测试分析等平台及设备工程师紧密合作，共同完成项目目标，推动研发成果转化。

▌应聘条件
(1) 学历专业：硕士及以上学历，微电子学、电子科学与技术、材料科学与工程、物理、集成电路等相关专业。
(2) 知识与技能：具备扎实的半导体物理、固体物理及器件物理基础，熟悉半导体工艺全流程;精通光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗等至少一种模块的工艺原理与技术细节；熟悉半导体器件的表征与测试方法(如霍尔测试仪，AFM测试等)。
(3) 相关经验：有第三代半导体(GaN，SiC)或MEMS工艺研发经验者；有国内外知名半导体企业或研究机构实习或项目经验者;有相关实验室工艺经验者优先。
(4) 个人素养：拥有强烈的创新意识、出色的逻辑思维和复杂技术问题的攻坚能力;具备优秀的沟通协调能力和团队合作精神。

测试分析工程师

▌主要职责
(1) 测试分析技术开发：负责建立和开发针对第三代半导体材料和器件的专项分析测试方法、流程及标准。
(2) 高端设备操作与分析：独立操作并维护高端分析测试设备(如TEM，XRD，XRT，SIMS，FIB等)，完成日常测试任务。
(3) 深度数据分析与解读：对测试结果(微观结构、化学成分、电学/光学性能等)进行深度解读、关联性分析和数据挖掘，撰写专业分析报告，为工艺开发和失效分析提供依据。
(4) 技术支撑与协作：为内部研发团队和外部合作单位提供高质量、高效率的分析测试服务和技术解决方案，跨部门协同攻克技术难题。
(5) 实验室管理：参与实验室的设备保养、操作规程(SOP)编写和安全规范制定。

▌应聘条件
(1) 学历专业：硕士及以上学历，材料科学与工程、微电子学、物理、应用物理、电子工程等相关专业。
(2) 知识技能：具备扎实的半导体物理和材料学基础，熟悉第三代半导体材料与器件的特性及常见的表征技术原理;熟练掌握相关材料表征设备(SEM/TEM，XRD,AFM,XPS,Raman/PL寺)的操作和基本原理。
(3) 相关经验：熟悉相关设备并具有丰富的上机经验者;具备出色的数据分析能力者;具有GaN、SiC等宽禁带半导体材料或器件分析测试经验者优先。
(4) 个人素养：具备极强的责任心、严谨细致的科研态度、出色的逻辑分析和解决问题的能力;善于沟通，具有优秀的团队合作精神和服务意识。