2月8日至10日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）暨第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在苏州工业园区召开。本次大会由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主办，江苏第三代半导体研究院、苏州市第三代半导体产业创新中心、苏州纳米科技发展有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等单位共同承办，并得到苏州工业园区管理委员会的大力支持。

大会以“低碳智联·同芯共赢”为主题，汇集全球产业链智囊，在3天的会期里，通过30余场次活动，全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向”，搭建了行业企业全方位的交流合作平台，为推动园区乃至苏州的第三代半导体相关产业的发展注入新动能。

超1600名来自第三代半导体产业及LED领域的国内外知名专家、企业领袖、行业组织领导、科研院所专家、高校学者、投资机构代表参与本次盛会，共商学术前沿、共话产业发展、共谋科技创新。

全国政协教科卫体委员会副主任、国际半导体照明联盟主席、科技部原副部长曹健林，中国科学院院士、浙江大学教授杨德仁，中国科学院院士、南昌大学副校长、教授江风益，中国工程院院士、有研科技集团首席科学家黄小卫，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，科技部高技术研究发展中心副主任卞曙光，科技部高新司材料处原一级调研员曹学军，苏州工业园区管委会副主任王晓荣，厦门大学党委书记、教授张荣，中国科学院特聘研究员李晋闽，北京大学理学部副主任、教授沈波，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，江苏第三代半导体研究院院长徐科等嘉宾及领导出席活动。中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇在线致辞。

苏州工业园区管委会副主任王晓荣在开幕式致辞中表示，早在2006年园区就抢抓市场机遇，积极开展前瞻布局，目前已集聚相关企业机构近百家，形成了以设备辅材，材料外延为核心，以下游应用为支撑的完整产业链。凭借国家第三代半导体技术创新中心（苏州）吸引了30余位国内外高层次的领军人才，形成了规模300人的核心科研团队，在大尺寸的材料制备等领域取得了重大的突破。园区正发挥优势大力推动创新链、产业链、资金链、人才链深度融合发展，全面打造国际一流的第三代半导体产业创新集群，加快建设开放创新世界一流高科技园区，为第三代半导体技术和产业发展做出更大的贡献。

自2021年国家第三代半导体技术创新中心落户苏州以来，围绕落实国家科技创新重大任务部署，打造国家战略科技力量，建成材料生长创新平台、测试分析与服役评价平台等大型公共服务平台，并围绕国家重大战略及产业链关键共性技术，多次组织国内优势单位协同攻关，承担江苏省、科技部多项重点研发任务；同时，构建政、产、学、研、资、用、孵深度融合的技术创新体系，在全国范围设立17家联合研发中心，并成立规模3亿元科技专项基金，支持中心项目孵化。目前已累计申请知识产权超过200件，引进孵化第三代半导体企业11家。

在开幕大会主题论坛环节，五大国际重量级报告从不同角度、不同领域分享国际半导体产业新发展、新方向，兼具高屋建瓴的格局分析与前沿趋势引领，其中诺贝尔物理学奖获得者天野浩教授分享了《基于氮化镓和氮化铝化合物材料追求短波长固态光发射器》的主题大会报告，掀起会场热潮。

在分论坛上，江苏第三代半导体研究院材料生长创新平台负责人王国斌作了题为《高性能GaN-on-GaN材料与器件的外延生长与表征》的报告。研究院面向Micro-LED可见光通信的应用，采用同质外延技术，生长了高性能外延材料，并与复旦大学合作，完成了较高通信速率下，兼顾高光功率和高调制带宽的通信器件和系统，为其产业化提供了新的解决方案。

对于本次大会落址苏州，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长、秘书长杨富华坦言：“新成立的苏州实验室，其中主要任务就是第三代半导体材料，希望能够率先发力，以材料的突破，带动应用的突破。第三代半导体产业联盟也将沟通政、产、学、研，联通产业上、中、下游，为中国未来第三代半导体产业发展出谋划策。”

江苏第三代半导体研究院院长徐科也表示，此次大会在苏召开，是苏州半导体产业十余年来深耕发展的结果，既是苏州了解国际半导体发展的窗口，也是外界了解苏州半导体产业的窗口，将帮助三代半国创中心发展更加聚焦，为万亿产值产业发展做出更多贡献。

此次会议是第三代半导体学术界、产业界、研究机构、投资界、市场受众、政府机构及各类人才全面深入探讨、合作交流、共襄盛举的一次盛会，也为第三代半导体的产业链前沿技术进展及产业发展指明了方向。

本届论坛移师苏州开启了新征程，苏州工业园区是全国开放程度最高、发展绩效最好、创新活力最强、营商环境最优的区域之一，特别是国家第三代半导体技术创新中心、苏州实验室等国家级平台落户苏州以来，极大促进了第三代半导体产业向纵深化、体系化发展。