4月2日至4日，第一届全国半导体缺陷研讨会在苏州工业园区独墅湖会议中心成功召开。本次大会由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、浙江大学、北京大学、苏州实验室、厦门大学、南昌大学、北京计算科学研究中心、中国科学院半导体研究所、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）9家单位发起和主办，并得到苏州市科技局、苏州市科学技术协会、苏州工业园区科创委的大力支持。

浙江大学杨德仁院士、北京大学沈波教授、北京计算科学中心魏苏淮研究员、厦门大学康俊勇教授、中科院半导体所牛智川先生、中科院半导体所汪林望教授、江苏第三代半导体研究院院长徐科，及来自高校、院所和企业的200余位专家和企业家代表齐聚一堂，深入讨论半导体缺陷的理论研究、材料生长与缺陷调控、缺陷的分析表征方法与装备技术等主题，助力强化我国半导体基础科学研究，为全球半导体产业的可持续发展做出应有的贡献。

北京大学沈波教授在开场主持中表示，缺陷研究是解决我国半导体芯片领域“卡脖子”问题的核心问题，也是最基础的问题。国外半导体缺陷会议已有六十多年的历史，而我国半导体缺陷专题研讨会议一直空白。本次召开的我国第一届缺陷会议，必定会在半导体发展历史上留下浓墨重彩的一笔。大家生逢其境，要倍加珍惜。

杨德仁院士在开场致词中对所有参与和支持会议的单位表达了感谢。杨院士表示，技术受制约归根到底是基础研究的问题，半导体缺陷控制是半导体材料和器件性能提升的关键所在。在此之前，我国一直没有聚焦半导体缺陷控制的专业学术研讨会。希望本次大会能够与材料领域的专家、学者交流半导体缺陷的表征和新的进展，也希望大家能够交到新朋友、学到新技能、获得新启发，共同把半导体材料、器件的基础研究提升到一个新量级、新阶段。

苏州市政协副主席、姑苏实验室主任张东驰在致辞中表示，苏州非常重视基础研究，正在建设的材料领域的苏州实验室，它是苏州重视基础研究的重要里程碑，其在半导体材料领域有重要布局，并与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）充分衔接、合作，以期在卡脖子技术方面作出战略性贡献。此外，张东驰还介绍了苏州产学研融合，以及科技与金融融合等情况。

本次会议共收到推荐/自荐报告90多篇，经组委会讨论，共推选出36个学术报告在本届会议上进行交流。

半导体缺陷是半导体技术发展中的核心主题之一。在当前国际国内发展的新形势下，开展半导体中的缺陷研讨，对于强化半导体基础性研究，推进产学研深度融合，践行科技自立自强，助力产业高质量发展，意义重大。在杨德仁院士、江风益院士、沈波教授、魏苏淮教授、康俊勇教授、徐科研究员等学者专家的倡导下，发起围绕半导体缺陷的学术研讨会，以更聚焦的主题、更密切相关的内容，深入讨论半导体中的缺陷，包括缺陷的调控、理论、分析表征方法与装备技术，这是全国缺陷研讨会组织的目的和主旨。