5月17日，第三代半导体关键装备国产化专题研讨会在苏州工业园区圆满召开。本次研讨会由中国半导体行业协会半导体支撑业分会主办，江苏第三代半导体研究院承办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、苏州实验室信息材料研究部、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳米科技发展有限公司协办。

中国半导体行业协会半导体支撑业分会秘书长石瑛主持本次研讨会。北京北方华创微电子第一刻蚀事业部副总经理谢秋实，中电科四十八所半导体装备研究部副主任巩小亮，拓荆科技股份有限公司副总经理、首席技术官张孝勇，万业企业副总裁兼董秘、嘉芯半导体总经理周伟芳，盛美半导体设备(上海)股份有限公司副总经理李学军，上海微电子装备集团市场开发部经理唐世弋，北京特思迪半导体设备有限公司总经理刘泳沣，苏州智程半导体科技股份有限公司副总经理华斌，凯世通半导体股份有限公司销售总监马洪文等40余家国内半导体装备企业高管和业内专家出席。

中国半导体行业协会副秘书长刘源超现场致辞，指出当前全球通胀、市场需求下行、中美经贸摩擦不断升级等各种因素相互交织，第三代半导体在国际竞争的背景下越来越具有战略性质。经过多年发展，中国第三代半导体产业初具规模，半导体设备技术及产业布局相对完整，第三代半导体制造装备国产化正当时。通过关键设备牵引，解决整线成套设备国产化，并建立工艺设备技术研发平台和工艺验证平台，全面提升第三代半导体功率器件关键工艺设备的能力，推动我国宽禁带半导体产业的自主可控发展。

苏州工业园区科技创新委员会主任潘瑜在致辞中提到，园区早在2006年就抢抓机遇，前瞻布局第三代半导体产业，现已集聚相关企业80多家，形成了以“设备辅材-衬底-外延-器件”为核心、以“下游应用”为支撑的完整产业链，制定了氮化镓领域67%的国家标准，在碳化硅外延设备、电力电子器件等领域创造了多个“第一”“唯一”，成功入选国家首批“先进制造业集群”，位列“中国第三代半导体最具竞争力产业园区”榜首。园区正全面贯彻党的二十大精神，更高水平促进创新链、产业链、资金链、人才链深度融合，加快建设开放创新的世界一流高科技园区。在继续支持国家第三代半导体技术创新中心建设同时，将积极吸纳各位专家的宝贵建议，与各方共商共谋第三代半导体产业创新发展之路，全力推动第三代半导体产业高质量发展。

研讨会上半场重点围绕“第三代半导体关键装备国产化”展开，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任、江苏第三代半导体研究院院长徐科首先介绍了国家第三代半导体技术创新中心（苏州）建设进展，9位国产装备龙头企业代表分别从各自的优势装备角度介绍了在第三代半导体工艺制程中的最新研发和应用进展。

主题报告环节

北方华创微电子第一刻蚀事业部副总经理谢秋实在“国产装备助力第三代半导体产业发展”的演讲中指出，随着新能源汽车和光伏等产业的需求趋势，SiC器件逐步替代部分Si基功率器件趋势较为明确。在SiC领域实现从衬底、外延到芯片的全链条国产装备覆盖，全面推动化合物领域爆发式发展。

中电科四十八所半导体装备研究部副主任、高级工程师巩小亮，在“第三代半导体装备发展趋势及国产化进展”的演讲中表示，国产装备的进一步发展将与行业紧密融合，围绕产业降本提质的核心焦点，持续提升解决方案性价比和竞争力。产业有望从“跟跑”走向“并跑”、“领跑”，成套装备国产化将起到核心支撑作用。

拓荆科技股份有限公司副总经理、首席执行官张孝勇在 “薄膜沉积在第三代半导体芯片生产中的应用”的演讲中表示已经完成对SiC市场设备的开发和应用，随着车用芯片的持续生长，SiC市场设备在五年内将能实现更好的成本优势。

北京特思迪半导体设备有限公司CEO刘泳沣在“国产磨抛设备在第三代半导体量产中的应用和前景”的演讲中指出，目前，所有的半导体衬底材料都需要经过磨抛，多样化的磨抛设备是当前的行业需求。

上海微电子装备集团市场开发部经理唐世弋在“光刻机在第三代半导体芯片生产中的应用”的演讲中介绍了现有国产光刻机能够满足五大不同应用需求，同时指出结合测量+光刻的组合设备逐渐成为行业需求。

嘉芯半导体总经理执行董事周伟芳介绍了万业集团“1+N”国产设备平台，在前道半导体设备领域逐步实现布局，并对第三代半导体国产化装备的公共验证平台的建设也提出了具体的可行性建议。

苏州辰轩光电科技有限公司总工程师熊雷介绍了第三代半导体衬底加工设备国产化研发进展，他表示应该专注于持续技术创新，不断探索先进技术知识，替代同类进口设备并实现批量化生产。

凯世通半导体股份有限公司销售总监马洪文在介绍了国产离子注入的发展，并指出目前SiC器件的市场需求旺盛，具有开发价值，建议离子注入机的开发以8英寸为突破，6英寸与8英寸兼容以对标国外机台。

苏州智程半导体科技股份有限公司副总经理华斌在“化合物半导体薄片单片湿法设备国产化解决方案”演讲中指出了化合物半导体薄片工艺的难点，并介绍了现有国产设备的薄片清洗设备的现状。

专题讨论环节

研讨会下半场专题讨论环节，7位特邀嘉宾首先对“延续硅基半导体的发展，开展第三代半导体技术研发及产业化面临的问题，以及国产化支撑能力的不足与挑战”畅所欲言，提出目前国内的装备制造商大多数从硅基半导体发展而来，对于第三代半导体衬底材料的性能是否适用原有设备需要重新定位，适应第三代半导体产业的新要求，从客户需求出发，降低成本提高效能，依托现有产业基础做引领性创新，需要企业、科研院所与产业链上下游供应链一起共同开发。提供成套装备与工艺技术。在“装备国产化与国际化，进一步提升国际竞争力”议题讨论中提出，未来第三代半导体产业将有可能带领产业链相关企业走出国内，与东欧、韩国等国家开展产业合作，国家创新中心平台可扮演重要的国际纽带和桥梁作用。

最后针对“依托开放的公共平台，共同形成创新迭代，要面临的主要困难和建议”的议题，各位重量级嘉宾纷纷建言献策，提出平台要有明确的目标和客户，与合作伙伴长期合作针对未来第三代半导体产业持续开展特色工艺路线研发，同时表达了与国创中心公共平台进一步加强深度合作的意愿。此次会议作为国产装备发展之路的重要探讨，将为后续建设开放的技术开发平台、核心零部件与国产装备在第三代半导体领域的突围，埋下了火种，星火燎原，未来可期。