为了加快射频半导体产业的聚集发展、推动射频半导体相关基础研究、应用研究和产业的有机融合，促进产业链合作。6月6日，“射频半导体技术趋势与挑战研讨会暨射频半导体性能测试与评估中心”揭牌仪式在国家第三代半导体技术创新中心（苏州）成功举办。

活动由国家第三代半导体技术创造新中心（苏州）和上海铭剑电子科技有限公司共同发起，并得到了苏州工业园区、半导体行业协会封测分会、半导体上下游企业及投资界的大力支持。

中国半导体行业协会封测分会秘书长徐冬梅主持本次活动，苏州国芯科技有限公司总经理、苏州聚元微电子股份有限公司董事长、创耀（苏州）通信科技股份有限公司董事长、南京国博电子股份有限公司副总经理、华天科技（西安）有限公司技术总监、苏州捷研芯电子科技有限公司董事长、昆山芯信安电子科技有限公司总经理、厦门三安光电股份有限公司区域经理、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、江苏毅达股权投资基金管理有限公司合伙人、小苗基金投资经理及其他来自半导体产业界、科研院所及投资机构的50多位专家、企业家、投资人出席活动。

苏州工业园区科创委产业处处长王正宇在致辞中表示，近期，省委省政府专门发文支持苏州工业园区发展，为加快建设开放创新的世界一流高科技园区，注入了强有力的信心和强大的动力。园区正全面贯彻党的二十大精神，把实现科技自立自强作为重大使命，继续支持国创中心建设，服务好射频半导体性能测试与评估中心落地，更高水平促进创新链、产业链、资金链、人才链深度融合，努力打造具有竞争力的第三代半导体产业创新集群。

射频半导体测试与评估联合实验室正式揭牌

射频半导体测试与评估联合实验室由国创中心和铭剑电子联合共建。旨在有效解决国内射频半导体研发和生产机构在研发、生产、应用过程中的相关技术支持和工程咨询。可为用户提供射频半导体工艺建模与验证、射频模组与子系统测试、射频芯片量产测试开发和工程验证等系统化服务。

嘉宾们参观国创中心展厅

嘉宾们参观联合实验室

射频半导体技术趋势与挑战研讨会

在研讨会环节，围绕射频芯片的设计、工艺、测试、封装、流片等议题，六位嘉宾做了精彩的主题报告。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员秦华在“氮化镓太赫兹探测器及其相关测试”的报告中阐述了目前太赫兹（THz）频段AlGaN/GaN二维电子气太赫兹探测器的研究进展。同时，也介绍了太赫兹器件的测试表征技术及装备研制。部分研究成果已应用在我国首台太赫兹自由电子激光和托卡马克核聚变试验装置，实现了国产替代进口和新的应用。

华天科技（西安）有限公司技术总监郭小伟在 “射频芯片封装技术介绍”报告中，详细介绍了目前射频芯片领域常用的一些封装案例，并对目前封装领域内所存在的一些难题提出了技术方案。

三安光电股份有限公司区域经理陆立山在“GaAs和GaN射频半导体工艺技术”的报告中展示了国内首家6英寸晶圆制造平台的外延研发和制造能力，并详细介绍了目前GaAs和GaN的HBT与HEMT器件工艺水平，并指出了目前的工艺难点和未来的攻关方向。

昆山芯信安电子科技有限公司总经理陈祺欣在“车规级芯片测试技术及服务”的报告中指出了技术标准与质量管理体系在测试服务中的重要性，并详细介绍了AEC Q100技术标准和IATF1649质量管理体系标准。

上海季丰电子股份有限公司技术总监高峰在题为“IMC失效分析介绍”的报告中指出，随着天线及射频前端的需求量及价值的快速上升，射频芯片的失效分析在对工艺升级等方面有着重要的作用。其中IMC的失效分析可借助X-Ray检测封装打线技术、SAT检测封装分层技术、FIB切割技术、弹坑实验技术等进行行之有效的分析。

上海铭剑电子科技有限公司首席科学家肖鹏程在“射频半导体芯片的测试挑战”报告中介绍了射频半导体高载频、高调制带宽、高阶调制、高通道数等的主要特点对射频半导体芯片的测试端的带来的挑战。他提出射频半导体芯片所面临这些测试难题既是挑战也是机会。

随后，研讨会聚焦“高功率、高频率射频芯片国产替代机会与瓶颈，高集成度射频芯片的产业机会与瓶颈，以及国内射频技术如何通过产业链协同合作实现技术突破和引领”三个话题进行开放式交流。

集众智可谋良策，聚众力必成伟业。本次研讨会的成功举办，促进了射频半导体行业产、学、研、资的深度交流，为进一步合作发展和创新资源共享搭建了良好的平台。

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）致力于打造开放共享的重大创新平台和技术创新体系，期待与更多专家、企业家开展更深层次、更宽领域、更大力度的科技创新交流与合作，携手谱写合作共赢、更加美好的未来！