第十九届全国MOCVD学术会议将于2026年7月27日至29日在内蒙古·呼和浩特隆重举行。
本次会议旨在系统探讨MOCVD领域的关键问题,推动产学研协同发展。会议将聚焦“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“新型器件及面向AI等新应用”等五大核心议题,以期为深化学术研讨、服务产业决策和促进技术交流提供重要支撑。
会 议 时 间:2026年7月27-29日
报 到 时 间:2026年7月27日
开幕式时间:2026年7月28日
会 议 地 点:
1、敕勒川草原千人会议中心
(内蒙古自治区呼和浩特市新城区野马图村东侧、生态路以南、敕勒川草原北部)
2、华茂酒店
(内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区新华大街 16-1 号)
一、详细日程安排







(日程如有调整,以现场为准)
二、会议注册与报到
1、费用标准
2、支付方式
(1)网络缴费方式
转账汇款或者扫描二维码支付。
扫描报名二维码填写参会信息,收到确认短信或邮件信息视为缴费成功。
(2)现场缴费方式
现场缴费的观众和学生请在报到处扫描二维码进行会议注册、费用支付和开票信息登记。发票需要后期开具,会后通过电子邮件发送。
本次报名信息通过问卷形式收集,提交后无法更改,请您务必仔细核对后确认提交。

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三、会议组织机构
1、主办单位
中国有色金属学会、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)
2、承办单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏省第三代半导体研究院、化合积电(呼和浩特)半导体科技有限公司、内蒙古大学、苏州纳维科技有限公司
3、协办单位
南昌实验室、西安电子科技大学集成电路学部、宽禁带半导体国家工程研究中心、北京大学宽禁带半导体中心、西交利物浦大学先进半导体研究中心、苏州纳米科技发展有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室、中微半导体设备(上海)股份有限公司、内蒙古工业大学
四、会议学术委员会
1、大会主席:郝跃
共同主席:江风益、杨辉、沈波
2、大会顾问委员会(按姓名拼音排序):
陈良惠、陈小龙、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、何杰、侯洵、黄如、黄维、李晋闽、贾明星、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘纪美、刘益春、罗毅、潘庆、施毅、孙祥祯、王立军、王启明、王占国、吴玲、夏建白、杨德仁、叶志镇、张荣、张国义、郑有炓、郑婉华、祝宁华
3、程序委员会:
主席:徐科
共同主席:王新强、张进成、黎大兵、汪莱、龙世兵、薛春来、陆海
程序委员会(按姓名拼音排序):
敖金平、程凯、陈长清、陈敦军、陈敬、陈时友、陈堂胜、陈秀芳、陈志涛、陈弘、陈化冰、杜祖亮、窦文涛、冯志红、方龙、郭世平、何军、胡晓东、胡伟达、黄凯、黄少华、鞠光旭、康俊勇、李晓航、刘新宇、刘斌、刘建平、刘扬、刘宗亮、刘雯、刘志强、刘召军、李忠辉、罗小蓉、梁红伟、梁剑波、马晓华、莫庆伟、陆书龙、欧欣、皮孝东、阮军、任国强、单崇新、孙钱、盛况、孙东明、孙晓娟、孙小卫、唐宁、唐为华、田有良、魏同波、魏钟鸣、魏进、王欣然、万玉喜、王立、王江波、王军喜、王建禄、王宏兴、王建峰、王俊、武利民、吴亮、徐现刚、徐海阳、许福军、薛春来、薛军帅、杨学林、叶建东、杨树、杨富华、余学功、闫春辉、闫建昌、云峰、周鹏、曾中明、张建立、张雄、张清纯、张乃千、张波、张保平、张宝顺、张峰、张源涛、张伟、张星、张宇昊、张金风、张韵、张龙、赵丽霞、赵德刚、赵璐冰、朱嘉琦
4、组织委员会:刘宗亮
张星、方龙、刘雯、贾欣龙、冯美鑫、宗华、张海山、苏旭军、魏瑛辉、仇苏宇、王涛、蒋科、陈平、王嘉铭、王平、黄森、孙海定、张紫辉、祝杰杰、徐光伟、邓高强、王霄、王国斌、庄喆、何晨光、郭炜、张召富、张赫之、刘志宏、化梦媛、杨再兴、徐明升、戴江南
五、联系方式
1、会议网站
http://www.nctias.cn/12
2、工作人员
①论文征稿咨询:
尤老师:17368486501,ycyou2022@iasemi.cn
②会务及注册咨询:
李老师:13771837993,wenli2024@iasemi.cn
③会议缴费咨询(MOCVD学术会议):
庞老师:15010359809,nfsoccwb@163.com
④参展及赞助合作:
朱老师:18862174564,jnzhu2022@iasemi.cn
贾老师:18310277858,jiaxl@china-led.net
张老师:13681329411,zhangww@china-led.net
⑤酒店及住宿咨询:
成老师:15996639130,sycheng2024@iasemi.cn