8月19日

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）

第二届理事会第一次会议顺利召开

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）第二届理事会第一次会议在苏州工业园区管委会顺利召开，中国科学院院士、国创中心（苏州）主任郝跃，中国科学院院士、南昌实验室主任江风益，园区党工委副书记、管委会主任卢渊以及园区科创委、财审局、江苏第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、三微电子、纳米公司等相关负责人出席会议，会议由苏州工业园区科创委主任潘瑜主持。

审议通过第二届理事会成员名单，继续聘请郝跃院士担任中心主任。会议听取并审议了国创中心（苏州）的建设进展及资金使用情况，以及下一步国创中心（苏州）的工作计划和资金预算情况。国创中心（苏州）获批建设以来，聚焦第三代半导体产业链自主可控与高质量发展，组织开展协同攻关，在MOCVD装备创新研发、大尺寸氮化镓材料外延生长、晶圆级缺陷分析表征技术、显示与通信融合的高性能Micro-LED、超高真空常温异质键合等方面取得重要突破，在推动装备国产化方面也取得显著成效；材料生长、器件工艺、测试分析与服役评价等公共研发平台，每年服务研发单位超500家。与会理事对国创中心（苏州）的建设成效给予充分肯定，并重点就未来建设路径展开深入探讨，为中心发展提出针对性、指导性的意见建议。

江风益指出，第三代半导体产业面对的是全球化竞争格局。苏州已布局形成了良好的技术生态，国创中心初步具备了可持续的自我造血发展能力，具备了很好的发展基础。面向未来，中心要持续强化核心领域技术攻关，巩固并扩大既有领先优势，进一步加大资源支持力度，统筹集聚各类创新要素，全力向国际一流创新成果迈进。

郝跃指出，国创中心（苏州）要持续完善创新链、产业链、资金链、人才链协同体系，特别是在已有基金基础上进一步强化资金链保障，为技术创新提供坚实支撑。紧扣国家“十五五”规划布局，聚焦细分赛道和关键节点精准发力，在核心点上形成绝对优势，全力抢占国际竞争制高点。

卢渊指出，国创中心（苏州）是园区集聚全球顶尖创新资源的重要平台。下一步，要继续放大苏州平台的技术转化优势和园区的产业生态效应，吸引更多高成长性、强带动力的优质项目落地，推动园区打造更具国际竞争力的创新企业集群。要用好总部基地载体空间，培育系统级的研发和服务能力，持续扩大苏州平台的行业影响力。园区将持续支持国创中心建设，强化各共建单位和相关部门协同联动，为国创中心高质量发展营造最优环境，助力我国第三代半导体产业实现高水平科技自立自强。

本次理事会的顺利召开，为国创中心（苏州）进一步明确了下一阶段的攻坚方向与实施路径。面对第三代半导体全球化竞争格局，中心将深度融入长三角一体化发展战略，加速推动产业创新与科技创新高度融合。下一步，国创中心（苏州）将紧扣国家“十五五”战略布局，以体系化公共研发平台为牵引，集聚国内外优质创新资源，持续完善“四链协同”机制，强化关键核心技术攻关，积极探索体制机制创新路径，全力抢占国际竞争制高点，为我国第三代半导体产业高水平科技自立自强贡献力量。