国家第三代半导体技术创新中心(苏州)研发与产业化基地开工建设
2022年1月4日，国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 研发与产业化基地正式在纳米城开工建设。
该项目总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划2023年12月底竣工。基地建成后将加速推动第三代半导体材料、装备、设计、研发、量产、封装测试等创新企业集聚发展，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。
面向可见光通讯应用超薄高质量量子阱生长技术实现重大突破
2022年3月18日，面向可见光通讯应用，与南京大学合作，通过变温外延生长的新技术，增加超薄量子阱的局域化效应，得到了新型应用于VLC的Micro-LED外延结构和高质量材料，实现了高频率、高带宽、高通信速率传输，并最终突破了1.53GHz的通信带宽记录。
该研发成果随后在国际微电子器件领域的顶级期刊IEEE Electron Device Letters上联合发表，论文题目为《C-PLANE BLUE MICRO-LED WITH 1.53 GHz BANDWIDTH FOR HIGH-SPEED VISIBLE LIGHT COMMUNICATION》。
成为全国半导体设备和材料标准化技术委员会新成员
2022年5月23日，江苏第三代半导体研究院成为全国半导体设备和材料标准化技术委员会新成员。
半导体材料标准化不仅是当前技术和产品发展的需要，更是提升材料领域标准化建设和竞争力水平的重要举措和保障。加入全国半导体设备和材料标准化技术委员会，与企业、科研院所、高校等学术和产业界共同努力，推动我国半导体材料产业迅猛发展。
加入苏州市大院大所党建联盟
2022年5月26日，江苏第三代半导体研究院成为苏州市大院大所党建联盟首批成员单位。
联盟以党的建设引领创新发展，以品牌互鉴推动互助合作，以服务互动促进协同创新，进一步激发院所抱团创新合力、共享创新动力。
国家第三代半导体技术创新中心(苏州)第一届技术专家委员会成立
2022年6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会会议在苏州工业园区顺利召开。
国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 第一届技术专家委员会由郝跃院士、郑有炓院士、杨德仁院士、欧阳晓平、江风益等10位院士领衔，和来自第三代半导体领域学术界、产业界的67位成员组成，成员覆盖国内第三代半导体领域学术界、产业界、投资界等顶尖人才、领域专家。
国家第三代半导体技术创新中心(苏州)首支基金-苏州荷塘创芯基金成立
2022年6月25日，国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 签约首支基金-苏州荷塘创芯基金。
该基金由荷塘创投与江苏第三代半导体研究院共同发起设立，基金管理人为荷塘创业投资管理（北京）有限公司（“荷塘创投”），吸引了包括中际旭创、苏州天使母基金、苏州园丰、苏州纳米等上市公司、政府引导基金的支持。苏州荷塘创芯基金围绕第三代半导体上下游产业链，发掘具备独特技术优势的初创期科技创新企业进行投资。基金的设立将为第三代半导体产业创新发展注入新动力。
再添8家联合研发中心
2022年6月25日，与行业内8家优势单位签约启动联合研发中心。
面向领域关键技术攻关方向，启动签约氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心等8家联合研发中心。通过联合研发中心建设，发挥企业长板优势，为企业需求和创新发展提供重要创新能力供给。
江苏省博士后创新实践基地挂牌
2022年7月10日，江苏省博士后创新实践基地挂牌。
江苏省博士后创新实践基地是省级博士后工作平台，旨在为企事业单位和高等院校、科研院所之间建立起顺畅的人才、智力流动渠道，推动产、学、研结合，是高层次人才引进培养和科技自主创新的重要载体。
SIMS技术联合实验室签约共建
2022年7月15日，与苏州微分共建“SIMS技术联合实验室”，并聘请高玉民博士为国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 二次离子质谱（SIMS）技术首席科学家。
围绕第三代半导体材料的二次离子质谱（SIMS）表征技术难点，江苏第三代半导体研究院与苏州微分科技有限公司联合共建“SIMS技术联合实验室”，双方围绕第三代半导体材料的SIMS测试分析技术开发，在人才培养、技术开发、标准研究、标样研制和技术服务等多个方面展开合作，旨在填补国内在第三代半导体的SIMS测试技术方面的空白。
长三角地区政协委员联合调研国家第三代半导体技术创新中心 (苏州)
2022年7月20日，长三角地区政协委员联合调研国家第三代半导体技术创新中心 (苏州)。
委员们充分肯定了国家第三代半导体技术创新中心（苏州）的建设成绩，并勉励国家第三代半导体技术创新中心围绕核心建设任务，以关键技术突破为核心，重点解决我国第三代半导体产业技术瓶颈，努力打造具有竞争力的第三代半导体产业创新集群，培育国家战略科技力量。
与高校共建研究生联合培养实训基地
2022年7月27日，与南京大学、复旦大学、厦门大学、苏州大学、苏州科技大学签订研究生联合培养实训基地协议。
携手探索全方位校企合作新路径，深化产教融合，校企协同，促进人才培养和第三代半导体产业需求全方位融合，培养高素质创新人才和技术技能人才，共同助力第三代半导体领域人才建设。
国家重点研发计划项目取得重要进展
2022年8月5日，与复旦大学合作，基于GaN单晶同质外延技术取得重要突破。
国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 材料生长创新平台已实现GaN基同质Micro-LED外延结构制备，并实现了蓝光、绿光、黄光和橙光。所生长的高性能外延片经过合作单位复旦大学的Micro-LED芯片验证，实现了调制带宽从400MHz增加到超过1GHz的主要通信指标的提升，同时实现了优于传统异质外延光功率20%的大幅提升。GaN单晶衬底同质外延技术的攻关可解决异质外延的失配问题，为Micro-LED产业化应用提供了新的解决方案。该研究成果随后以共同第一作者在国际光通信领域的顶级期刊IEEE Journal of Lightwave Technology上发表，论文题目为《Comparison of beyond 1GHz c-plane freestanding and sapphire-substrate GaN-based micro-LEDs for high-speed visible light communication 》
科技部党组成员、副部长邵新宇一行调研国家第三代半导体技术创新中心(苏州)
2022年8月8日，科技部党组成员、副部长邵新宇一行调研国家第三代半导体技术创新中心 (苏州)，中心主任郝跃院士亲自接待。
作为国家战略布局的重大载体之一，邵部长勉励国家第三代半导体技术创新中心（苏州）要充分发挥平台优势，抓住“技术创新”这一核心要素，加大力度整合创新资源，加快推动科技成果转化落地，在2-3年时间内围绕解决重大科技问题，实现重大科技创新成果突破。
江苏省副省长胡广杰会见郝跃院士
2022年8月8日，江苏省副省长胡广杰会见国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主任郝跃院士，双方进行了亲切的交流会谈。
在会谈中，胡广杰充分肯定了郝院士作为顶尖人才团队引进对于当地人才集聚、产业创新的重要意义，并表示要加强顶尖人才团队建设，要以一流载体集聚一流人才、构建一流生态、创造一流成果。
金鸡湖青年人才创新创业培育基地挂牌
2022年8月19日，国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 挂牌金鸡湖青年人才创新创业培育基地。
未来将为青年人才创新创业提供最扎实的硬件设施、最尖端的技术平台、最舒心的科研环境。
正式获批为江苏省第三代半导体产业技术创新联合体建设试点
2022年9月28日，由江苏第三代半导体研究院牵头组建的江苏省第三代半导体产业技术创新联合体正式获批建设试点。
聚焦第三代半导体产业创新发展需求和重大科技攻关任务，江苏第三代半导体研究院联合苏州大学、中科院苏州纳米所等15家单位组建江苏省第三代半导体产业技术创新联合体，通过任务型方式组建，共同申请承担国家和省重大科技计划任务和项目，开展跨区域、跨领域的协同攻关，着力突破一批制约第三代半导体产业发展的共性关键核心技术。
测试分析与服役评价平台服务能力全面提升
2022年10月6日，大型仪器设备X射线貌相仪（XRT）、二次离子质谱仪（D-SIMS）顺利到位并开展安装调试，进入试运行阶段。
目前测试分析与服役评价平台已拥有FIB、Candela、 XRT、D-SIMS等多台套用于第三代半导体测试分析及评价的专有大型仪器设备，逐步形成了全产业链的系统服务支撑能力，为第三代半导体技术创新和成果转化的测试表征提供有力保障。
8英寸蓝宝石异质衬底外延取得重要突破
2022年10月31日，江苏第三代半导体研究院通过外延层生长应力控制技术开展超大尺寸外延技术开发，形成了8 inch蓝宝石异质衬底上LED外延片生长。为超大尺寸蓝宝石异质衬底上全色系LED外延片生长技术开发奠定基础。
Micro-LED知识产权白皮编制完成
2022年11月14日，Micro-LED知识产权白皮书完成梳理分析工作。
江苏第三代半导体研究院联合智慧芽（PatSnap）专利检索平台开展Micro-LED知识产权白皮书工作，经过3个月的梳理、分析、总结，于11月正式编制完成。该白皮书有助于填补Micro-LED知识产权领域市场—技术—专利的空白，为企业的专利构思与布局提供支撑，帮助企业和研究机构预测技术和产品的创新点，减少科研的盲目性和重复性，同时强化产业链企业间的协同合作，为行业的技术创新与产业发展决策提供相关参考。
江苏省科技厅王秦厅长和徐南平院士考察国家第三代半导体技术创新中心 (苏州)
2022年11月17日，江苏省科技厅王秦厅长和徐南平院士考察国家第三代半导体技术创新中心(苏州)。
王厅长听取详细进展汇报，并勉励国家第三代半导体技术创新中心 (苏州) 加快建设，围绕国家重大战略方向布局和产业链需求，攻克关键共性技术，促进第三代半导体产业高质量创新可持续发展。
车规级碳化硅MOSFET芯片取得突破性成果
2022年11月30日，“碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心”（苏州中瑞宏芯半导体有限公司）研发的6英寸碳化硅MOSFET芯片实现高性能指标和可靠性，即将进入工程化量产验证阶段。
该研发中心重点瞄准新能源汽车核心部件的自主研发能力，开展车规级碳化硅功率芯片与模块联合研发，在国创中心支持布局下，整合材料端、生产端、应用端，打通碳化硅功率模块产业链上下游关键环节，打造新能源汽车国产“功率芯”。以此为目标，该研发中心牵头揭榜了国创中心车规级芯片“揭榜挂帅”项目，也获得了国创中心专项基金-苏州荷塘创芯基金的支持。
获批知识产权管理体系认证证书
2022年12月22日，江苏第三代半导体研究院组织的贯彻GB/T 29490-2013《企业知识产权管理规范》标准，经过为期半年的梳理优化完善，通过了内部管理评审以及外部机构审核，获得知识产权管理体系认证证书。
江苏第三代半导体研究院自7月启动《企业知识产权管理规范》贯标工作，经过半年的不断完善，获得知识产权管理体系认证。知识产权贯标有助于建立企业知识产权工作的规范体系，指导各部门进一步强化知识产权创造、运用、管理和保护，实现对知识产权的科学管理和战略运用。
材料生长创新平台与器件工艺平台改造完工
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）材料生长创新平台和器件工艺平台位于纳米城三区紫翔地块，首期面积2.3万平方，经过一年多的规划、设计及改造，于12月底完工，具备设备入驻条件。
该研发基地瞄准建设国际一流技术、一流水平，全链条研发支撑平台，突破材料创新关键共性技术和工艺关键环节，实现装备、技术、人才的源头供给。
国家第三代半导体技术创新中心 (苏州)集成应用研发总部大楼改造正式完工
2022年12月28日，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）集成应用研发总部大楼改造装修正式完工。
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）集成应用研发总部大楼（纳米城38号楼，8300平方）即将投入使用。该研发大楼与测试分析中心（纳米所共建）、材料生长创新平台和工艺平台（纳米城三区紫翔地块）及其他共建平台多位一体、有机链接，逐步形成从材料生长、测试分析、器件工艺、可靠性评价等全生命周期的研发和技术创新，为促进第三代半导体产业创新集聚发展提供有力的条件保障。
