会议通知 | 第十九届全国MOCVD学术会议火热报名中！

来源: | 作者:IASEMI | 发布时间: 18天前 | 84 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:

第十九届全国MOCVD学术会议将于2026年7月27日至29日在内蒙古·呼和浩特隆重举行。

全国MOCVD学术会议是我国MOCVD生长技术与化合物半导体材料器件研发领域的重要交流平台。自1989年首届会议召开以来，迄今已成功举办十八届。随着会议规模与影响力的持续扩大，该会议已发展为全国学术界与产业界广泛参与的学术盛会，为我国MOCVD领域的学术研究、技术进步及半导体产业发展作出了积极贡献。本次会议旨在系统探讨MOCVD领域的关键问题，推动产学研协同发展。会议将聚焦“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“封装、应用及AI for MOCVD”等五大核心议题，以期为深化学术研讨、服务产业决策和促进技术交流提供重要支撑。

一、会议议题

1、材料生长、表征与装备　

2、功率电子与射频器件　

3、光电子器件与应用

4、超宽禁带半导体与前沿交叉　

5、封装、应用及AI for MOCVD

二、组织机构

1、主办单位

中国有色金属学会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

2、承办单位

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏省第三代半导体研究院、化合积电（呼和浩特）半导体科技有限公司、内蒙古大学、内蒙古工业大学、苏州纳维科技有限公司

3、协办单位

南昌实验室、西安电子科技大学集成电路学部微电子学院、北京大学宽禁带半导体中心、西交利物浦大学先进半导体研究中心、苏州纳米科技发展有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室

三、学术委员会

1、大会主席：郝跃

共同主席：江风益、杨辉、沈波

2、大会顾问委员会（按姓名拼音排序）

陈良惠、陈小龙、褚君浩、范广涵、甘子钊、郝跃、何杰、侯洵、黄如、黄维、李晋闽、贾明星、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘纪美、刘益春、罗毅、潘庆、施毅、孙祥祯、王立军、王启明、王占国、吴玲、夏建白、杨德仁、叶志镇、张荣、张国义、郑有炓、郑婉华、祝宁华

3、程序委员会：

主席：徐科

共同主席：王新强、张进成、黎大兵、汪莱、龙世兵、薛春来、陆海

程序委员会（按姓名拼音排序）：

敖金平、程凯、陈长清、陈敦军、陈敬、陈时友、陈堂胜、陈秀芳、陈志涛、陈弘、陈化冰、杜祖亮、窦文涛、冯志红、方龙、郭世平、何军、胡晓东、胡伟达、黄凯、黄少华、鞠光旭、康俊勇、李晓航、刘新宇、刘斌、刘建平、刘扬、刘宗亮、刘雯、刘志强、刘召军、李忠辉、罗小蓉、梁红伟、梁剑波、马晓华、莫庆伟、陆书龙、欧欣、皮孝东、阮军、任国强、单崇新、孙钱、盛况、孙东明、孙晓娟、孙小卫、唐宁、唐为华、田有良、魏同波、魏钟鸣、魏进、王欣然、万玉喜、王立、王江波、王军喜、王建禄、王宏兴、王建峰、王俊、武利民、吴亮、徐现刚、徐海阳、许福军、薛春来、薛军帅、杨学林、叶建东、杨树、杨富华、余学功、闫春辉、闫建昌、云峰、周鹏、曾中明、张建立、张雄、张清纯、张乃千、张波、张保平、张宝顺、张峰、张源涛、张伟、张星、张宇昊、张金凤、张韵、赵丽霞、赵德刚、赵璐冰、朱嘉琦

4、组织委员会：刘宗亮

张星、方龙、刘雯、贾欣龙、冯美鑫、宗华、张海山、苏旭军、魏瑛辉、仇苏宇、王涛、蒋科、陈平、王嘉铭、王平、黄森、孙海定、张紫辉、祝杰杰、徐光伟、邓高强、王霄、王国斌、庄喆、何晨光、郭炜、张召富、张赫之、刘志宏、化梦媛、杨再兴（陆续更新中）

四、会议时间和地点