近年来，苏州各类研发机构以服务企业、赋能产业为核心，聚焦企业技术痛点，在技术攻关、成果转化、企业孵化、人才培育等方面主动作为，为企业提供全周期创新支撑，破解研发瓶颈、提升企业核心竞争力，助力产业链升级，成为赋能区域产业高质量发展的核心力量。市科技局立足研发机构服务企业、赋能产业的实践成效，从平台、技术、资本、人才四个维度，遴选出苏州市研发机构创新赋能十大案例，集中展现研发机构赋能企业发展、驱动产业升级的典型经验与突出成效。

本期

一起走进国家第三代半导体技术创新中心（苏州）

看这里如何

构建全链条研发体系

助力产业自主可控 

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）【以下简称“国创中心（苏州）”】聚焦第三代半导体产业关键共性技术，协同优势资源建设开放共享的公共研发平台，构建从材料生长、器件工艺、异质键合集成到测试分析评价的全链条研发体系，为产业提供“全站式”创新服务，已累计合作服务全国500多家机构和企业，拥有自主知识产权487项，吸引海内外50多个优秀创新团队集聚发展，共建联合研发中心超过40家，助力科技成果转移转化，服务第三代半导体产业高质量创新发展。

协同共建国产化装备验证平台  支撑国产装备自主可控

第三代半导体产业技术发展面临着门槛高、周期长以及验证体系缺乏的痛点难点，国创中心（苏州）器件工艺平台以推动装备国产化为使命，联合产业链上下游20余家国内领先的半导体装备企业，共建国产化装备验证平台。通过合作共建，重点构建国产化装备和工艺技术标准体系，推进标准化成套装备和工艺技术成果转移转化，支撑光电子工艺、微电子工艺、光机电集成工艺技术和装备技术验证。目前已合作引进近60台套关键环节装备，打造原创概念验证、关键工艺验证和国产装备验证能力，建成面向氮化物半导体的国产装备验证平台，实现自主可控的微米级Micro-LED芯片制备能力，大幅降低进口工艺依赖，为高清显示、ARVR、可穿戴设备等领域企业，提供高性能芯片解决方案。

创新联合攻关机制   助力科技成果转移转化

国创中心（苏州）探索“需求众筹-揭榜挂帅-利益共享”产学研协同机制，联合海信、西电、苏州纳维、中电55所等企业、科研机构组建第三代半导体创新联合体；开展跨区域、跨领域协同，组建人才攻关联合体；围绕产业关键共性技术，与龙头企业、重点高校院所共建41家联合研发中心；集成国内外创新资源、技术、平台、人才和市场优势，开展核心材料、关键技术、集成应用的协同攻关，加快关键核心技术创新和科技成果转化，助力企业创新发展。

目前通过联合攻关、揭榜挂帅、创新联合体等方式进行研发合作，累计开展联合攻关项目超过23项，带动企业等研发投入超2亿元。

通过与领域优势企业合作共建，在公共研发大平台上协同攻关，面向国家战略和企业发展需求，服务产业关键共性技术突破。

面向产业升级需求及关键场景应用，重点开展大尺寸高质量关键材料制备及装备研制，从源头破解关键产业技术瓶颈。联合15家高校、科研院所和产业链优势单位，开展大尺寸高质量关键材料制备及装备研制，实现蓝绿光激光器进口替代。

面向衬底加工领域，联合苏州博宏源共建联合实验室，实现了6/8英寸碳化硅晶锭的快速低成本切割，8英寸碳化硅晶锭激光切割单片时间小于17-23分钟,与线切割相比，切割效率提升近15倍，将有望推动大尺寸碳化硅衬底加工成本降低50%以上。

8英寸碳化硅隐形切割片

面向新型显示领域，联合上海微芸科技共建联合研发实验室，完成了首台套ALE先进刻蚀设备并攻克Micro-LED低损伤刻蚀关键技术，实现微米级芯片阵列自主制备，该技术解决了Micro-LED制造中刻蚀损伤导致的效率下降与可靠性问题，有效提升了产品良率与性能一致性。

GaN基器件制程低损伤刻蚀工艺技术

面向高端异质集成与先进封装核心瓶颈，布局先进键合技术研发中心，引进海外团队开展大尺寸衬底键合装备和材料技术的研发和产业化。团队研发出2~8英寸兼容的键合装备，实现了4英寸多晶金刚石与多种半导体的常温键合，键合界面达到纳米级平整度，键合材料兼容性达到国际领先水平。该装备将为高功率器件与AI芯片极限散热和热管理提供创新解决方案，为异质异构芯片的发展提供重要支撑。

4到8英寸超高真空常温键合设备

国创中心（苏州）围绕第三代半导体产业链关键环节，以全链条研发体系助力产业自主可控，通过构建“需求牵引-平台支撑-协同攻关-成果转化”的全链条合作模式，围绕产业痛点，深度开展企业合作，形成“企业出题、中心/平台答题、市场验题”的良性循环。下一步，国创中心（苏州）将持续聚焦产业链共性技术难题，深化开放协同机制，为第三代半导体产业自主可控与高质量发展提供坚实支撑。

来源：苏州科技