世界氮化镓日揭晓
来源:充电头网编辑部 | 作者:. | 发布时间: 973天前 | 698 次浏览 | 分享到:

7月31日,世界氮化镓日。去年充电头网联合众多第三代半导体产业链企业,发起世界氮化镓日。这一纪念日还有一个小故事,其中氮在元素周期表排序第7位,镓排序第31位,因此得名,并获行业认可.


每年7月31日前后,第三代半导体行业将会举行盛大的庆祝活动,覆盖产学研多个领域的全球规模盛会,用于纪念氮化镓、碳化硅新技术在众多领域的革新应用。其中,2021全球第三代半导体快充产业峰会,正是世界氮化镓日期间的主题活动之一,这也是全球初具规模的大型活动,首次举办就获得了60多家企业响应,近2000人报名参加。氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高


1871年,德米特里 · 门捷列夫(Dmitri Mendeleev)预测了镓的存在。1875年,德布瓦博德兰(Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎发现镓,并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名。纯氮化镓的熔点只有30摄氏度(86华氏度) ,因此在正常体温下,它会在人的手中融化。1928年,氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代,制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物,氮化镓的熔点超过1600℃,比硅高200℃。


1950年,第一只“PN结型晶体管”问世了,它的性能与萧克利原来设想的完全一致。此前萧克利提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。今天的晶体管,大部分仍是这种PN结型晶体管。1958年,两大公司的大佬分别发明了半导体集成电路,一同开创了世界微电子学的历史。一个是大名鼎鼎的仙童公司的罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)发明了锗集成电路;另一家是德仪公司的杰克·基尔比(Jack Kilby)发明了硅集成电路,两者仅间隔数月。


1972年,基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来(使用掺有镁的氮化镓)。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ,亮度还不足以商用,但这是人类第一次制备出能够发出蓝紫色光的LED。1986年,赤崎勇和天野浩师徒首次制成高质量的氮化镓晶体,他们所采用的方法是在蓝宝石衬底上涂上一层氮化铝材料,并在上面生长氮化镓晶体。在创设p层的工作上取得突破性进展之后,到了1992年,他们终于制成第一个发蓝光的二极管。蓝光LED发明者中村修二、赤崎勇和天野浩获得了诺贝尔物理学奖。


1993年,中村修二对赤崎勇、天野浩师徒的研究提出正确的理论解释,并独立发明以InGaN晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD方法,使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化,这开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。2004年左右,第一个氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。2008年,氮化镓金属氧化物半导场效晶体MOSFET在硅衬底上形成得到推广,但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件,使用率较低。2018年,氮化镓大规模应用于快充,从此充电器进入氮化镓时代,一发不可收2021年,距首次预测镓的存在150年后,氮化镓迎来了自己的生日,氮化镓日诞生。未来,氮化镓将助力全球实现碳达峰碳中和,氮化镓的历史,你我一起见证。


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