国际首发!园区半导体产业迎来新突破!
来源:SIP产业创新中心 | 作者:. | 发布时间: 1457天前 | 1433 次浏览 | 分享到:

近日苏州工业园区科技领军人才企业苏州镓敏光电科技有限公司首次发布4款VUV和EUV探测器芯片产品,对园区半导体产业的发展具有里程碑意义。我国在半导体短波紫外探测器领域的产业化基础薄弱200 nm以下紫外光辐照剂量监控和定标长期依靠进口探测器件,不仅受到西方国家的技术封锁而且时刻存在断供风险。


为了突破这一困境,镓敏光电研发团队在陆海和张荣的领导下,自2011年起就开展了200 nm以下短波紫外探测器的研制工作,于2013年首先实现了探测波长低至140 nm 的大感光面宽禁带AlGaN基VUV探测器,这是国内公开报道的第一只半导体真空紫外探测器。

在此基础上,该团队进一步发展了探测波长低至5nm的高量子效率EUV探测器技术,并通过其团队创建的产业化公司镓敏光电成功进行了技术转化,经过多轮量产型芯片工艺开发与改进以及系列工业级可靠性验证,镓敏光电发布新型产品4款VUV和EUV探测器芯片,分别面向193 nm和13.5 nm紫外光源辐照能量监测,并已开始向国内外若干大型公司批量供货。


在此次产品发布以前,国际上仅有美国Opto Diode公司可提供半导体真空紫外探测器和极紫外探测器产品,是基于特殊的Si基器件工艺。但是Si材料抗辐射能力弱、温度稳定性差和易受背景光干扰等固有缺点限制了Si基EUV探测器的进一步发展。

以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体材料因其可见光盲,高稳定性和抗辐照等系列性能优势是制备新一代短波EUV探测器的优选材料,不同于传统Si材料技术路线,镓敏光电此次发布的VUV和EUV探测器芯片产品就是基于新型宽禁带SiC半导体材料,不仅暗电流低、量子效率高,而且根据已有的可靠性测试数据,未出现Si基探测器在高剂量深紫外光辐照下的性能退化问题。这一自主创新产品突破了现行的技术框架,必将对我国相关领域的技术进步起到重要推动作用。


镓敏光电位于苏州纳米城,于2019年获评“园区科技领军人才项目”,是由南京大学长江学者、留美归国博士和南京大学团队共同创办的高新技术企业,专业研发和生产新一代的高灵敏度紫外探测器件与应用模块,并提供与紫外探测相关的技术咨询与解决方案。镓敏光电在国内最早实现宽禁带半导体GaN和SiC紫外探测芯片的产业化,产品已批量应用于紫外消毒剂量监测、火焰探测、水质检测、气体污染物检测、生化体液检测、紫外固化过程监控,以及太阳紫外线指数监测等诸多领域。纳米技术是引领未来的战略性技术,近年来园区围绕微纳制造、第三代半导体、纳米新材料、纳米大健康等领域、持续完善产业链、布局创新链。


集聚了中科院苏州纳米所、中科院深圳先进院等一批“国字号”科研院所;材料科学姑苏实验室总部落户园区,国家第三代半导体技术创新中心获批建设;纳米新材料产业入选首批国家先进制造业集群,园区已经成为具有国际影响力的纳米技术应用产业发展高地;2020年园区纳米技术应用产业总产值破千亿,已跻身全球八大纳米产业集聚区之一。


今年1-9月园区新增科技项目956个,同比增长21%,其中三大重点产业项目占81%;新增上市企业8家,累计达51家;有51个科技项目同时在建,总建筑面积达276万平米;纳米公司、生物公司等国资载体在建89万平米,计划三年内竣工投用近200万平米,均创历史新高,形成了优质项目纷至沓来、一流人才加速汇聚、创新成果亮点纷呈的蓬勃发展态势。接下来园区将坚持以建设世界一流高科技园区为目标,秉持亲商服务理念集、聚最强资源实施最优政策、营造最佳生态,为广大园区创新创业者提供最好的发展环境和创业平台,助力企业加速发展壮大携手共创更加美好的未来。


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