2021年11月8日，以“芯动力 新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题的第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门盛大开幕。江苏第三代半导体研究院作为第四届全国宽禁带半导体学术会议重要合作伙伴亮相会议。

本次会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会及第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办，厦门大学和南京大学联合承办。作为国内在宽禁带半导体学术和产业最新研究进展以及成果合作和交流的有影响力的平台，本次会议吸引了等一大批国内宽禁带半导体领域业界资深专家、教授和优秀中青年学者、以及产业界科研技术人员、机构嘉宾、院校师生、企业家代表等参与本次学术盛会。中国科学院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任、西安电子科技大学教授郝跃院士等也应邀参加。

江苏第三代半导体研究院院长、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员徐科携团队参加本次会议，并做了专题《氮化镓单晶材料的HVPE法与液相法生长研究》的报告。在报告中，徐老师详细分享了氮化镓单晶材料的HVPE法与液相法生长研究的最新成果。同时指出GaN单晶材料生长的关键难题是面临各类器件的特殊需求的挑战，比如更大的晶面尺寸，更高的晶体质量，更优异的光学质量，更优异的电学性能，合适的镜面取向，更低的成本等。

会议上，与会嘉宾围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。